日本京瓷公司（Kyocera）日前宣布，其成功開發(fā)了一種全新的工藝，用于生產(chǎn)micro LED（和微型激光）器件。該工藝基于硅晶片上氮化鎵（GaN）層的橫向生長，以限制大部分區(qū)域的缺陷。

    基本過程有三個(gè)步驟。首先在硅晶片上生長氮化鎵層。第二步是涂上具有水平間隙的掩模。第三步是繼續(xù)生長氮化鎵層。缺陷集中在開口核，但其余生長區(qū)域幾乎沒有缺陷。實(shí)際的micro LED器件由低缺陷區(qū)域制造。

    京瓷表示，該新工藝有三大優(yōu)勢(shì)。首先，器件是由低缺陷氮化鎵在寬面積上制成的，具有一致的高品質(zhì)。其次，由于掩模層抑制了氮化鎵和硅襯底之間的結(jié)合，所以很容易將氮化鎵器件拉出晶片。最后，新工藝有助于從相對(duì)便宜的硅襯底成功且可靠地分離氮化鎵器件層，這將大大降低制造成本。